半導體 IC 靜電放電測試失效的判定

靜電放電的測試中,必須要判斷 IC 本身是否已遭到 ESD 破壞,才能決定是否繼續後續做測試,通常對 IC 是否已被 ESD 破壞失效會有下列幾種判定方式.
1). 絕對洩漏電流判定方式 :
IC pin 受到 ESD 破壞會造成洩漏電流( Leakage current ),若漏電流大於 1uA 或 10uA 則可判定 IC 失效.洩漏電流會隨著所加的偏壓大小而增加.
2). I/V 飄移判定方式 :
IC 被 ESD 破壞後,從 IC 輸入或輸出腳看進的 I/V 曲線會產生偏移量.I/V 曲線偏移量如果大於 10% 或 20% 或 30%,則可判定 IC 受到 ESD 破壞而失效.
3). IC功能觀測方式 :
就是以完整未經過 ESD 測試的 IC 做功能上的比對,如果受測過 ESD 的 IC 已經無法如未經測試 ESD 的 IC功能,則可判定受測 IC 已受到 ESD 測試所破壞失效.
綜觀上述, IC 的 ESD 的測試有不同的測試模式以及不同認定的失效標準,所以不同的 IC 失效判定法則及不同的測試模式下,所測出的 ESD 臨界電壓點將會有所認定上的差異.故一般 IC 半導体對於 ESD 的受測結果必須標註在何種測試模式下及何種判定失效方式,以求得與各廠家的認定標準一致性.這樣測試出的 ESD 耐受性才會俱有真實的意義.