IC EOS damage 防制

EOS可能産生原因：
1. 測試電壓或電流超過 datasheet所定之最大值。
2. 測試電壓不穩造成 Over-voltage(過高電壓) 或 Over-current (過高電流)
3. NOISE導致 IC Latch up.
4. 測試時IC方向誤放.

爲防止EOS現象發生，而導致大電流與大電壓Damage IC。建議採用如下措施：
1. 測試電壓與測試電流都不應超過datasheet的最大值.
2. 應保持測試時電壓穩定，避免産生Transient voltage偏壓而Damage IC.
3. 各站測試治具應做如下要求：
(a). 於測試治具上，在所有input pad至vss的路徑上，加 3.3v Zener doide做穩壓保護
(b). 於測試治具上，在所有output pad至vdd的路徑上，加 diode做保護。
(c). 於測試治具上，將接觸VSS pin之探針加長，使得測試時保證VSS pad必先接地。
(d). 避免火線測試，在放上PCB前請先power off，放妥PCB後，再power on進行測試；
而測試完後先power off再將PCB取下。
4. 注意生産作業管制(機台，焊烙鐵是否漏電)。
5. 防止IC測試時腳位誤放。