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2009年6月10日 星期三

IC EOS damage 防制


EOS可能産生原因:
1. 測試電壓或電流超過 datasheet所定之最大值。
2. 測試電壓不穩造成 Over-voltage(過高電壓) 或 Over-current (過高電流)
3. NOISE導致 IC Latch up.
4. 測試時IC方向誤放.

爲防止EOS現象發生,而導致大電流與大電壓Damage IC。建議採用如下措施:
1. 測試電壓與測試電流都不應超過datasheet的最大值.
2. 應保持測試時電壓穩定,避免産生Transient voltage偏壓而Damage IC.
3. 各站測試治具應做如下要求:
(a). 於測試治具上,在所有input pad至vss的路徑上,加 3.3v Zener doide做穩壓保護
(b). 於測試治具上,在所有output pad至vdd的路徑上,加 diode做保護。
(c). 於測試治具上,將接觸VSS pin之探針加長,使得測試時保證VSS pad必先接地。
(d). 避免火線測試,在放上PCB前請先power off,放妥PCB後,再power on進行測試;
而測試完後先power off再將PCB取下。
4. 注意生産作業管制(機台,焊烙鐵是否漏電)。
5. 防止IC測試時腳位誤放。

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