半導體 IC 元件的靜電放電測試模式

半導體 IC 元件的靜電放電測試模式可區分分類為四項 :
1). 人體靜電放電模式( Human Body Model : HBM ),是模擬人體因走動或其他因素而在人體上累積靜電後,再去碰觸到 IC .人體上的靜電便會經由碰觸的腳位而進入 IC 內,若 IC 有一端接地而形成放電路徑時,電荷便會經由接地腳位放電.
2). 機械靜電放電模式( Machine Model : MM ),為日本在 70 年代依據人體靜電放電模式發展出來的一種模擬機械接觸的放電模式.主要定義為人工機械手臂或測試夾具金屬端接觸到 IC 所產生的高電壓高電流放電而造成 IC 破壞.
3). 元件充電模式( Charged-Device Model : CDM ),是指 IC 先因磨擦或感應等因素而在 IC 內部累積了靜電,但在靜電慢慢累積的過程中 IC 並未被損傷.此帶有靜電的 IC 在作業過程當中,當其任一接腳碰觸到接地導體時, IC 內部的靜電便會經由接腳流出而造成放電現象.
4). 電場感應模式( Field-Induced Model : FIM ), FIM模式的靜電放電發生是因電場感應而起的.當 IC 因輸送帶或其他因素而經過一電場時,其相對極性的電荷可能會自一些 IC 腳而排放掉,等 IC 通過電場之後, IC 本身便累積了靜電荷,此靜電荷會以類似 CDM 的模式放電出來.