半導體 IC ESD HBM/MM 參考標準

HBM 其國際參考測試標準可參考下標準規範 :
1). US MIL-STD-883E Method 3015.7 notice 8.
2). ESD ASSOCIATION STM5.1-2001.
3). JEDEC EIA/JESD22-A114-B.
4). Automotive Electronics Council AEC-Q100-002-REV-C.
5).大陸主要標準：GJB548A-96方法3015A.
MM其國際參考測試標準則可參考下標準規範 :
JEDEC EIA/JESD22-A115-A.

1). 人體靜電放電模式 :
此放電的過程會在短短數 ns 的時間內產生數 A 的瞬間放電電流,進而將 IC 內的電路燒毀.對一般元件可耐受的 HBM 2 KV 來說,在 2~10 ns 的時間內,瞬間電流峰值可達 1.33 A.

2). 機械靜電放電模式
當MM發生時皆為金屬對金屬的接觸,因此接觸電阻微乎其微.而且一般機器設備的電容皆遠大於人體,因此可以儲存更多的靜電荷,所以不但造成放電的速度很快,放電電流也較HBM大了數倍,在幾十毫微秒之內會有數安培的瞬間放電電流產生,因此機器放電模型對IC造成的破壞更大.
由於電感效應的影響,MM放電時將以正負電流振盪的型式影響產品,因此造成的破壞將更加嚴重.