ESD 對造成電子元件失效情況

ESD 對造成電子元件失效情況,

可概分三種情形: (1). 硬體失效(Hard failure)、(2). 潛在性失效(Latent failure)、(3). 場強感應失效 (Field induction failure)。

(1). 硬體失效問題:

ESD電弧電壓(Spark voltage)竄入半導體內部使絕緣部位損壞。

如在P-N接合點短路或開路,內部絕緣的氧化層貫穿(punch-through)-金屬氧化處理部位產生熔蝕(melting)等,這都是屬於永久性失效。

(2). 潛在性失效問題:

當ESD發生時系統雖暫時受到影響,仍然可繼續動作,但功能會隨時間逐漸變差,隔數日或數週後系統出現異常,最後成為硬體失效。

這是因為半導體元件已經受到部分不可回復的損傷,隨著使用時間日增,異常功能自會逐漸顯現。

這種失效是最難捉模,無法以失效模式分析確認。若使用者若遇這類產品,應該要能意識到該產品的品質狀況,尚不成熟。

(3). 感應場強失效問題:

當 ESD的高壓放電火花跟電流會對產生電場輻射效應,這種寬頻的輻射,經常使臨近的電路受干擾而失常,如Latch-Up或暫時性程序錯亂,及資料流失等,嚴重時更會損傷硬體成為永久行硬體失效。